长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa<sub>1-x</sub>As红外吸收的研究

杨晓峰; 许丽萍; 温廷敦

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长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究

更新时间：2026-09-14

- 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究
- 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究
- 中北大学学报（自然科学版） 2000年第3期
- 作者机构：
  
  华北工学院理学系,山西,太原,030051
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  兵科院预研基金;山西省自然科学基金联合资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2000
- 稿件说明：
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杨晓峰, 许丽萍, 温廷敦. 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究[J]. 中北大学学报（自然科学版）, 2000,(3).

杨晓峰, 许丽萍, 温廷敦. 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究[J]. 2000, (3).
杨晓峰, 许丽萍, 温廷敦. 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究[J]. 中北大学学报（自然科学版）, 2000,(3). DOI：

杨晓峰, 许丽萍, 温廷敦. 长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_1-xAs红外吸收的研究[J]. 2000, (3). DOI：

摘要

目的　研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性

尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法　在有效质量的基础上

计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果　发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周期层厚为 1 8nm

Ga As层厚为 3nm时

在 1 0 .6μm处有一强的红外吸收峰 .结论　这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料

Abstract

Aim\ To study the infrared absorption properties of GaAs/Al\-\%x\%Ga\-\{1-\%x\%\}As superlattice

especially at 10.6 μm. Methods\ Calculating the energy band structure and infrared absorption coefficients within the frame work of effective mass. Results\ There exists a strong infrared absorption at 10.6 μm in GaAs/Al\-\{0.3\}Ga\-\{0.7\}As superlattice when the width of potential barrier is 3 nm and the period is 18 nm. Conclusion\ This kind of superlattices can be well used as infrared absorption materials.

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